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當(dāng)前位置：首頁 > 產(chǎn)品展示 > 光電探測(cè)器 > 砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb > InAs-PVA-3-0.1×0.1紅外非冷卻InAs光伏探測(cè)器 2.15-3.5μm
簡(jiǎn)要描述：紅外非冷卻InAs光伏探測(cè)器 2.15-3.5μm PVA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)要求
產(chǎn)品型號(hào)：InAs-PVA-3-0.1×0.1廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時(shí)間：2022-08-08訪 問 量：757相關(guān)文章
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| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材,電子 |
PVA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)要求
● 可探測(cè)紅外波長(zhǎng)范圍2-5.5μm
● 可配專用前置放大器
● 高溫度穩(wěn)定性與機(jī)械耐久性
TO39型封裝外形尺寸圖
引腳定義
功能 | 引腳號(hào) |
探測(cè)器 | 1（-）,2（+） |
接地 | 3 |
● 醫(yī)學(xué)熱成像
● 紅外光譜分析
● 中紅外激光探測(cè)
參數(shù) | 探測(cè)器型號(hào) | |
PVA-3 | PVA-5 | |
有源元件材料 | 外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu) | 外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu) |
波長(zhǎng)λopt（μm） | 2.15±0.2 | 2.3±0.2 |
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W | 2.95±0.3 | 4.7±0.3 |
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λopt),cm·Hz1/2/W | 3.5±0.2 | 5.5±0.2 |
電流響應(yīng)度-光敏面長(zhǎng)度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W | ≥5×109 | ≥5×108 |
時(shí)間常數(shù)T，ns | ≥1.3 | ≥1.3 |
電阻R,Ω | ≤20 | ≤60 |
元件工作溫度Tdet,K | ≥2K | ≥70 |
感光面尺寸A,mm×mm | 0.1×0.1 | |
封裝 | TO39 | |
接收角Φ | ～90° | |
窗口 | 無 | |
探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線
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