產(chǎn)品分類(lèi)

Product Category

光電探測(cè)器

單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

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詳細(xì)介紹

品牌	其他品牌	產(chǎn)地類(lèi)別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材,電子

PCAS-2TE-9-0.1X0.1-TO8-wZnSeAR-70是一種具有優(yōu)良參數(shù)的II型超晶格兩級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)體。光導(dǎo)檢測(cè)器應(yīng)在偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻率下的性能會(huì)降低。3 °楔形硒化鋅增透涂層窗(wZnSeAR)防止不必要的干擾效應(yīng)。對(duì)于連續(xù)波輻射的檢測(cè)，推薦使用光斬波系統(tǒng)。該探測(cè)器不含汞和鎘，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。 (更多關(guān)于光電探測(cè)器光電探測(cè)器 )

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 光譜范圍為1.7 ~ 5.8 μm

● 高響應(yīng)度

● 線性度

● 不需要偏差

● 無(wú)1/f噪聲

封裝及尺寸

TO8型封裝外形尺寸圖

2TE-TO8引腳定義

功能	PIN號(hào)
探測(cè)器	1,3
反向偏壓（可選）	1（-）,3（+）
熱敏電阻	7,9
TE冷卻器供應(yīng)	2（+），8（-）
底板接地	11
未使用	4，5，6，10，12

使用和儲(chǔ)存注意事項(xiàng)

1、散熱2TE冷卻器產(chǎn)生的熱量，需要有~2 K/W的熱阻散熱器。

2、工作環(huán)境濕度為10% ~ 80%，環(huán)境溫度為-20℃~ 30℃。

3、功率限制：連續(xù)波或單脈沖輻照度大于1 μs時(shí)，對(duì)視光學(xué)有源區(qū)域的輻照度不得超過(guò)100 W/cm2；小于1 μs的脈沖輻照度不能超過(guò)1 MW/cm。

4、儲(chǔ)存于濕度為10%至90%，環(huán)境溫度為-20℃至50℃的黑暗處。

產(chǎn)品應(yīng)用

● 中紅外激光探測(cè)

● 中紅外氣體分析

技術(shù)參數(shù)

測(cè)試條件：Ta=20℃

參數(shù)	探測(cè)器類(lèi)型
參數(shù)	PCAS-2TE-9-0.1X0.1-TO8-wZnSeAR-70
有源元件材料	外延超晶格異質(zhì)結(jié)構(gòu)
起始波長(zhǎng)λcut-on（10%），μm	1.6±0.2
峰值波長(zhǎng)，λpeak，μm	6.2±0.3
截止波長(zhǎng)λcut-off（10%），μm	11.0±0.3
響應(yīng)度D*(λpeak, 20 kHz), cm·Hz1/2/W	~2.8×108
電流響應(yīng)度Ri(λpeak), A/W	~2.8
時(shí)間常數(shù)T,ns	~12
電阻R,Ω	~95
偏置電壓Vb, V	typ. 0.5
1/f噪聲角頻率fc, Hz	typ. 20k
工作溫度Tdet,K	~230
光敏面A,mm×mm	0.1×0.1
封裝	TO8
接收角度Φ	~70°
窗口	wZnSeAR