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垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），VCSEL垂直腔面發(fā)射激光器 (半導體激光器 1.0mW)簡稱VCSEL,是一種半導體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎(chǔ)研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結(jié)構(gòu)由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。有源區(qū)有量子肼組成，VCSEL

850±10nm單模VCSEL激光器：中心波長 850nm；波長偏差 ±10nm；輸出功率 1mw；TO46封裝；自由空間輸出；不帶TEC

760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性等優(yōu)點,2nm調(diào)諧范圍,專為可調(diào)諧半導體激光吸收光譜（TDLAS）應用而設(shè)計,內(nèi)置防靜電（ESD）保護.

垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡稱VCSEL,是一種半導體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎(chǔ)研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結(jié)構(gòu)由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。有源區(qū)有量子肼組成，在P型DBR外表面制作金屬接觸層，形成歐姆接觸，并在P型DBR上制作

795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips正向電流 VF 典型值 1.8 V 輸出功率 Φ 典型值 0.13 mW 閾值電流 Ith 典型值 0.75 mA 斜率效能 SE 典型值 0.21 W / A 單模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波長 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 794.5 nm 795 nm 795.5 nm

Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性目前深受國內(nèi)科研客戶青睞。目前我們現(xiàn)有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測，以及795nm用于Rb原子鐘實驗，還有852nm用于CS原子冷卻。

Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性目前深受國內(nèi)科研客戶青睞。目前我們現(xiàn)有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測，以及795nm用于Rb原子鐘實驗，還有852nm用于CS原子冷卻。

筱曉光子的新款1654nm VCSEL激光器中應用了新發(fā)明的高對比度光柵層(HCG)，HCG比傳統(tǒng)的分布布拉格反射鏡（DBR）薄約50倍，但具有更高的反射率和更寬的光譜寬度。我們的這款激光器具有高達8nm的調(diào)諧范圍，調(diào)諧頻率可達100kHz,是測試CH4氣體的理想選擇。