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品牌 | 其他品牌 | 價格區(qū)間 | 面議 |
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組成要素 | 半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備 | 產(chǎn)地類別 | 進口 |
應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,建材,電子 |
光學(xué)級硅通常規(guī)定為具有5至40ohm-cm的電阻率,其電阻率比大多數(shù)半導(dǎo)體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制,te別是對于TeraHertz應(yīng)用。通常的材料為CZ,其在9μm具有Si-O吸收帶,因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口,則此性質(zhì)不重要。 如果需要FZ,可以提供沒有這種吸收的浮區(qū)材料。
硅主要用作3至5um波段的光學(xué)窗口并用作光學(xué)濾波器的制片基底。 具有拋光面的大塊硅也用作物理實驗中的中子靶。
硅通過Czochralski拉伸技術(shù)(CZ)生長并且包含一些導(dǎo)致9um的吸收帶的氧。 為了避免這種情況,硅可以通過浮區(qū)(FZ)工藝制備。 光學(xué)硅通常輕摻雜(5~40 Ohm cm),以在10um以上的波段最jia透射。 硅具有30至100um的另一通帶,其僅在非常高電阻率的未補償材料中有效。 摻雜通常是硼(p型)和磷(n型)。
透射范圍: | 1.2-15μm(1) |
折射率: | 3.4223 @5μm(1)(2) |
反射損耗: | 46.2% @5μm(2個表面) |
吸收系數(shù): | 0.01cm -1 at 3μm |
吸收峰: | n / a |
dn / dT: | 160×10-6 /℃(3) |
dn /dμ= 0: | 10.4μm |
密度: | 2.33g / cc |
熔點: | 1420℃ |
熱導(dǎo)率: | 273.3W m-1 K-1 |
熱膨脹: | 2.6×10 -6 /℃ at 20℃ |
硬度: | Knoop 1150 |
比熱容: | 703JKg-1K-1 |
介電常數(shù): | 13 at 10GHz |
楊氏模量(E): | 131GPa(4) |
剪切模量(G): | 79.9GPa(4) |
體積模量(K): | 102GPa |
彈性系數(shù): | C11 = 167; C12 = 65; C44 = 80(4) |
表觀彈性極限: | 124.1MPa(18000 psi) |
泊松比: | 0.266(4) |
溶解性: | 不溶于水 |
分子量: | 28.09 |
類別/結(jié)構(gòu): | 立方鉆,F(xiàn)d3m (Cubic diamond, Fd3m) |
折射率:(No = Ordinary Ray 普通射線)
µm | No | µm | No | µm | No |
1.357 | 3.4975 | 1.367 | 3.4962 | 1.395 | 3.4929 |
1.5295 | 3.4795 | 1.660 | 3.4696 | 1.709 | 3.4664 |
1.813 | 3.4608 | 1.970 | 3.4537 | 2.153 | 3.4476 |
2.325 | 3.4430 | 2.714 | 3.4358 | 3.000 | 3.4320 |
3.303 | 3.430 | 3.500 | 3.4284 | 4.000 | 3.4257 |
4.258 | 3.4245 | 4.500 | 3.4236 | 5.000 | 3.4223 |
5.500 | 3.4213 | 6.000 | 3.4202 | 6.500 | 3.4195 |
7.000 | 3.4189 | 7.500 | 3.4186 | 8.000 | 3.4184 |
8.500 | 3.4182 | 10.00 | 3.4179 | 10.50 | 3.4178 |
11.04 | 3.4176 |
產(chǎn)品型號1: SICZPRISM52-20-2-45
IR Polished Silicon (Si) ATR prism (Attenuated Total Reflection)
52 x 20 x 2mm 45° ATR prism.
梯形
產(chǎn)品型號2: SICZPRISM80-10-4-45
IR Polished Silicon (Si) ATR prism (Attenuated Total Reflection)
80 x 10 x 4mm 45° ATR prism.
梯形
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