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紅外非線性 AgGaS2 (AGS) 硫鎵銀晶體 5x5x0.4mm

簡(jiǎn)要描述:紅外非線性 AgGaS2 (AGS) 硫鎵銀晶體 5x5x0.4mm

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間:2023-02-24
  • 訪  問(wèn)  量:592

詳細(xì)介紹

品牌其他品牌價(jià)格區(qū)間面議
組成要素半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,建材,電子
總覽

本產(chǎn)品由于具有獨(dú)te的功能,ZnGeP2、 AgGaSe2、AgGaS2、 GaSe 和 ZnTe作為光學(xué)非線性晶體,在中紅外和遠(yuǎn)紅外應(yīng)用方面已經(jīng)贏得了人們急大的興趣。它們的應(yīng)用包括:中紅外波段OPO,近、中紅外波段頻率轉(zhuǎn)換,CO2 激光倍頻,THz生成。紅外非線性晶體 具有大的有效光學(xué)非線性,寬的光譜和角度接收范圍,透光范圍寬,對(duì)溫度穩(wěn)定性和振動(dòng)控制沒(méi)有苛刻的要求,可以進(jìn)行良好的機(jī)械加工( GaSe除外)。其它晶體有 : CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe,ZnS

紅外非線性 AgGaS2 (AGS) 硫鎵銀晶體 5x5x0.4mm 紅外非線性 AgGaS2 (AGS) 硫鎵銀晶體 5x5x0.4mm


通用參數(shù)

1、AgGaS2 硫鎵銀晶體

AgGaS2簡(jiǎn)稱AGS晶體,中文名是硫鎵銀晶體,他的透光波段為0.53至12 µm。雖然其非線性光學(xué)系數(shù)在上述提到的紅外晶體中是最小的,但是其邊緣為550 nm短波長(zhǎng)高透光度被用于Nd:YAG激光泵浦的OPO,也被大量應(yīng)用于利用二極管、摻鈦藍(lán)寶石、Nd:YAG和紅外燃料激光器進(jìn)行的差頻混頻實(shí)驗(yàn),直接紅外對(duì)抗系統(tǒng),以及CO2激光倍頻。通過(guò)信號(hào)和飛秒OPO系統(tǒng)駐波的差頻,硫鎵銀晶體薄片在中紅外波段超短脈沖發(fā)生方面用的很普遍。


2_1g7a.png

14 mm長(zhǎng)鍍?cè)鐾改ず陀糜诒籒d:YAG激光泵浦的OPO的AgGaS2晶體的透過(guò)光譜


3_m4ug.png

AgGaS2晶體1型 OPO 和SHG調(diào)諧曲線



2、ZnGeP2晶體(簡(jiǎn)稱ZGP晶體),磷鍺鋅晶體

ZnGeP2磷鍺鋅晶體的透光波段為0.74至12 µm,其中有用的透光范圍從1.9至10.6 µm。 ZnGeP2擁有最大的非線性光學(xué)系數(shù)和較高的激光損傷閾值。它成功地應(yīng)用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:

通過(guò)與10.6 µm 波長(zhǎng)混頻的 CO2激光的上轉(zhuǎn)換;

CO和 CO2 激光輻射的和頻;

脈沖式CO、CO2 和DF化學(xué)激光的高效倍頻;餌和鈥激光泵浦時(shí)的中紅外OPO光的發(fā)生。

E K S M A 光 學(xué) 提 供 具 有 低 吸 收<0.04 cm-1 @ 2.1 µm的ZnGeP2 晶體,更好的適應(yīng)OPO或OPA應(yīng)用,然后泵浦2.05-2.1 µm,鍍?cè)鐾改ぁ?/p>

4.png



ZnGeP2晶體1型OPO和SHG調(diào)諧曲線


5.png


ZnGeP2晶體在2 µm附近的吸收光譜


6.png


15 mm長(zhǎng)鍍?cè)鐾改nGeP2晶體[email protected] µm 的透過(guò)光譜


3、AgGaSe2 硒鎵銀晶體

AgGaSe2硒鎵銀晶體晶體的透光波段在0.73至18 µm波段之間。其有用透光范圍0.9-16 µm及寬的相匹配能力,在被多種當(dāng)前常用激光泵浦時(shí),能為OPO應(yīng)用提供具潛力的應(yīng)用。在2.05 µm的Ho:YLF激光泵浦下,已經(jīng)獲得2.5-12 µm的波長(zhǎng),以及在1.4-1.55 µm激光泵浦下,獲得1.9-5.5 µm的非臨界相位匹配操作。脈沖式CO2激光的高效倍頻已經(jīng)得到證明。


7_kprj.png



AgGaSe2晶體1型OPO和SHG調(diào)諧曲線


8_5lbm.png


18 mm長(zhǎng)無(wú)鍍膜AgGaSe2晶體的透過(guò)光譜


9_et8s.png

25 mm長(zhǎng)鍍?cè)鐾改さ腁gGaSe2晶體的透過(guò)光譜



4、GaSe硒化鎵

GaSe 硒化鎵晶體 的 透 光 波 長(zhǎng) 在 0 . 6 5 至18 µm之間. GaSe晶體已經(jīng)成功的應(yīng)用于以下方面:CO2 激光的高效倍頻,脈沖式CO、CO2和DF化學(xué) 激光(λ = 2.36 µm)倍頻,CO和CO2激光向可見(jiàn)光的上轉(zhuǎn)換,通過(guò)釹和紅外燃料激光器或(F-)-centre激光脈沖的差頻混頻產(chǎn)生紅外脈沖,3.5–18 µm范圍內(nèi) OPG光的發(fā)生,飛秒脈沖泵浦時(shí)0.2-5 THz范圍的高效太赫茲發(fā)生。由于材料結(jié)構(gòu)(沿(001)平面切開(kāi))限制了應(yīng)用領(lǐng)域,為了得到特定相位匹配角的晶體切割是不可能的。



搜狗截圖20211026155600.png



物理特性:

晶體

ZnGeP2

AgGaSe2

AgGaS2

GaSe

ZnTe

晶體對(duì)稱性

四方

四方

四方

六角

立方閃鋅礦

點(diǎn)群

42m

42m

42m

62m

43m

晶格常數(shù), ? a

5.465

5.9901

5.757

3.742

6.1037

c

10.771

10.8823

10.305

15.918

-

密度, g/cm3

4.175

5.71

4.56

5.03

5.633



光學(xué)特性:

晶體

ZnGeP2

AgGaSe2

AgGaS2

GaSe

ZnTe

透光范圍,µm

0.74-12

0.73-18

0.53-12

0.65-18

0.65-17

折射率@






1.06 µm

no

3.2324

2.7005

2.4508

2.9082

2.7779

ne

3.2786

2.6759

2.3966

2.5676

5.3 µm

no

3.1141

2.6140

2.3954

2.8340

2.6974

ne

3.1524

2.5823

2.3421

2.4599

10.6 µm

no

3.0725

2.5915

2.3466

2.8158

2.6818

ne

3.1119

2.5585

2.2924

2.4392



吸收系數(shù), cm-1 @






1.06um

3.0

<0.02

<0.09

0.25

-

2.5um

0.03

<0.01

0.01

0.05

-

5.0um

0.02

<0.01

0.01

0.05

-

7.5um

0.02

-

0.02

0.05

-

10.0um

0.4

-

<0.06

0.05

-

11.0um

0.8

-

0.06

0.05

-



非線性光學(xué)特性:

晶體

ZnGeP2

AgGaSe2

AgGaS2

GaSe

ZnTe

激光損失閾值, MW/cm2

60

25

10

28

-

@脈寬, ns

100

50

20

150

-

@波長(zhǎng), µm

10.6

2.05

1.06

9.3

-

非線性, pm/V

111

43

31

63

-

Type 1 SHG的相位匹配角@ 10.6 µm, deg

76

55

67

14

-

Walk-off角@5.3 µm, deg 0.57

0.57

0.67

0.85

3.4

-



熱學(xué)特性:

晶體

ZnGeP2

AgGaSe2

AgGaS2

GaSe

ZnTe

熔點(diǎn), oC

1298

851

998

1233

1295

熱膨脹系, 10-6/oK






17.5(a)

23.4(c)

12.5

9.0

8.0

9.1(b)

18.0(d)

-

-

-

1.59(a)

-6.4(c)

-13.2

8.25

-

8.08(b)

-16.0(d)

-

-

-

@ 293-573 K, b) @ 573-873 K, c) @ 298-423 K, d) @ 423-873 K



計(jì)算折射率的SELLMEIER方程:

晶體

A

B

C

D

E

F

表達(dá)式

ZnGeP2

no

8.0409

1.68625

0.40824

1.2880

611.05

-

n2=A

+Bλ2/(λ2-C)

+Dλ22-E)

ne

8.0929

1.8649

0.41468

0.84052

452.05

-

AgGaSe2

no

6.8507

0.4297

0.15840

0.00125

-

-

n2=

A+B/(λ2-C)

-Dλ2

ne

6.6792

0.4598

0.21220

0.00126

-

-

AgGaS2

no

3.3970

2.3982

0.09311

2.1640

950.0

-

n2=

A+B/(1-C/λ2)

+D/(1-E/λ2)

ne

3.5873

1.9533

0.11066

2.3391

1030.7

-

GaSe

no

7.443

0.405

0.0186

0.0061

3.1485

2194

n2=

A+B/λ2+C/λ4+D/λ6

+E/(1-F/λ2)

ne

5.76

0.3879

-0.2288

0.1223

1.855

1780

ZnTe

No, ne

9.92

0.42530

0.37766

2.63580

56.5

-

n2=

A+B/(λ2-C2)

+D/(λ2/E2-1)



可以根據(jù)客戶要求提供的其它晶體有: CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe, ZnS

ZnTe/碲化鋅:

碲化鋅晶體在<110>方向被用于通過(guò)光整流過(guò)程來(lái)產(chǎn)生太赫茲。光整流效應(yīng)是晶體的二階非線性光學(xué)效應(yīng),也是一種特殊的差頻效應(yīng)。對(duì)于有一定帶寬的飛秒激光脈沖,不同的頻率分相互作用產(chǎn)生從0到幾太赫茲的帶寬。太赫茲脈沖的整流是通過(guò)碲化鋅晶體另一個(gè)<110>方向內(nèi)自由空間電光整流產(chǎn)生的。太赫茲脈沖和可見(jiàn)光脈沖在碲化鋅晶體內(nèi)直線傳播時(shí),太赫茲脈沖在碲化鋅晶體內(nèi)產(chǎn)生雙折射,這一現(xiàn)象被線偏振可見(jiàn)光脈沖讀出。當(dāng)可見(jiàn)光脈沖和太赫茲脈沖同時(shí)在同一晶體內(nèi)傳播時(shí),可見(jiàn)偏振光在太赫茲脈沖作用下產(chǎn)生旋光,用一個(gè)λ/4波片和一個(gè)分束偏振器以及一組平衡光電二極管,通過(guò)監(jiān)控可見(jiàn)光脈沖從碲化鋅晶體出射后的偏振旋轉(zhuǎn)相對(duì)于太赫茲脈沖的一組延遲時(shí)間,就可以監(jiān)測(cè)太赫茲脈沖的振幅軌跡。能夠讀出完整的電場(chǎng)、振幅和延遲,是時(shí)域太赫茲光譜的魅力之一。

碲化鋅也被用于紅外光學(xué)元件基板和真空沉積。我們可提供尺寸為?40x30 mm的光學(xué)元件。


注意: 碲化鋅含有微氣泡,這并不影太赫茲的產(chǎn)生,然而,它們?cè)诰w被照明時(shí)的投影下是可見(jiàn)的。我們不接受關(guān)于晶體內(nèi)有氣泡的投訴。



如何訂購(gòu):ZnGeP2 (ZGP) Crystals

貨號(hào)

Size, mm

θ

φ

鍍膜

標(biāo)注

交貨期

TL-ZP-401

7x5x15 mm

54°

[email protected]µ[email protected]µm

OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm

3周

TL-ZP-402

7x5x20 mm

54°

[email protected]µ[email protected]µm

OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm

3周

TL-ZP-403

7x5x25 mm

54°

[email protected]µ[email protected]µm

OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm

6周



AgGaS2 (AGS) Crystals

貨號(hào)

Size, mm

θ

φ

鍍膜

標(biāo)注

交貨期

TAGS-401H

5x5x1 mm

39°

45°

BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

1周

TAGS-402H

6x6x2 mm

50°

BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 2

聯(lián)系我們

TAGS-403H

5x5x0.4 mm

34°

45°

BBAR/BBAR @ 3-6 / 1.5-3 μm

SHG @ 3-6 μm, Type 1

1周

TAGS-801H

8x8x0.4 mm

39°

45°

BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

1周

TAGS-802H

8x8x1 mm

39°

45°

BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

1周

AgGaS2 crystals are provided mounted into 25.4 mm diameter ring holder.


關(guān)于質(zhì)量控制實(shí)驗(yàn)室:

Terahertzlabs光學(xué)的質(zhì)量控制實(shí)驗(yàn)室通過(guò)使用高度專業(yè)化的設(shè)備和工藝,能夠?yàn)榭蛻籼峁└哔|(zhì)量的精密光學(xué)元件。質(zhì)量控制實(shí)驗(yàn)室配備了防振光學(xué)平臺(tái)、層流罩和超聲波清洗機(jī),此外還配備了一系列高精度的測(cè)量設(shè)備來(lái)進(jìn)行各種各樣的測(cè)試。


光學(xué)測(cè)試:

1, Genesys-2 分光光度計(jì):用于200-1100 nm波段透過(guò)率的精密測(cè)量;

2, EKSPLA laser spectrophotometer – 用于210-2300 nm波段透過(guò)率和反射率的精密測(cè)量,激光光  束直徑<1 mm;

3,  ESDI Intellium Z100 Fizeau Interferometer – 用633 nm波長(zhǎng)測(cè)量面形和透過(guò)波前畸變的計(jì)算機(jī)控制科學(xué)干涉儀,標(biāo)準(zhǔn)具精度lambda/20;

4,EKSPLA NL220 laser - Nd:YAG激光器,工作波長(zhǎng)1064、532、355和266 nm,用于晶體角切精度測(cè)量、晶體效率和方向性測(cè)試;

5,Moeller-Wedel Optical Elcomat vario140/40 Autocollimator;

6,G-5 Ganiometers – 用于測(cè)量棱鏡和楔角片角度,以及平面光學(xué)元件

的平行度和塔差;

7, Nikon Microscopes - 56-400倍放大顯微鏡,帶CCD相機(jī),用于表面質(zhì)

量檢測(cè);

8,Trioptics Super-Spherotronic HR Spherometer;

實(shí)驗(yàn)室能力:

光學(xué)實(shí)驗(yàn)室具有如下能力:

1,光學(xué)和幾何參數(shù)測(cè)量,如焦距、折射率、曲率半徑、角度和塔差,用于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換(二、三次倍頻)的光軸方向測(cè)量;

2,表面質(zhì)量測(cè)量,按照MIL、ISO或DIN標(biāo)準(zhǔn);

3, 平面度測(cè)量:波前畸變(反射和透過(guò)光束);

4, 棱鏡和楔角片角度測(cè)量,平面元件的平行度測(cè)量;

5,材 料 和 薄 膜 鍍 膜 光 譜 測(cè) 量 , 和 /或 角 反 射 和 透 過(guò) 率 測(cè) 量 ( 2 0 0 -2300 nm);

6, 用ZEMAX軟件進(jìn)行光學(xué)設(shè)計(jì)。

關(guān)于晶體選擇列表僅供客戶參考:

A-F系列

G-H系列

L-N系列

P-Z系列

Al2O3

GaTe

LaAlO3

PbWO4

Al

GaN

LiTaO3

PbF2

Au

GaP

LiNbO3

PbS

Ag

Ga:ZnO

LiF

PIN-PMN-PT

AlN 單晶

GdScO3

LSAT

PMN-PT

BaF2

GaSb

LaF3

SrTiO3 (國(guó)產(chǎn),進(jìn)口,Ti面終止SrTiO3)

BaTiO3

GaAs

LiAlO2

SrLaAlO4

BGO

Graphite(普通;熱解)

LGS 硅酸鎵鑭

SrLaGaO4

BSO

GaSe

LiGaO2

Si(?超薄Si片)

Bi2Te3

GGG (Gd3Ga5O12)

LGT鉭酸鎵鑭

SiC?(4H,6H,3C)

Bi2Se3

Ge

MgAl2O4

SBN

Bi2Se2Te

Hg(1-x)Cd(x)Te

MgF2

SiO2(玻璃和單晶)

Bi2Te2Se

InP

MgO

Si-Ge

BP 黑磷

InAs

MoSe2

TiO2(銳鈦礦型,金紅石型)

CdS

InSb

MoS2

TbScO3

CsI (TI)

KH2PO4

MoTe2

TGG

CaCO3

KTaO3

MgO:LiNbO3

TeO2

Cu(單晶)

KTa 1-X NbXO3

NdCaAlO4

WTe2

CdSe

KCl

NaCl

WS2

Ce:Lu2SiO5

KTN

Nb:SrTiO3 (國(guó)產(chǎn),進(jìn)口)

WSe2

CdWO4

HOPG

NdGaO3

YAG

CdZnTe


NaCl

YSZ

CdTe


Ni

YAlO3

CeF2



YVO4

CaF2



ZnTe

DyScO3



ZnSe

Fe:SrTiO3



ZnO

Fe3O4



ZnS

Fe2O3



Zero diffraction plate (Si 和SiO2)











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