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低抖動(dòng)多功能數(shù)字延遲脈沖發(fā)生器

簡要描述:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司,MCT探測器,半導(dǎo)體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測器
低抖動(dòng)多功能數(shù)字延遲脈沖發(fā)生器

  • 產(chǎn)品型號:DG645
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間:2022-12-30
  • 訪  問  量:1032

詳細(xì)介紹

品牌其他品牌價(jià)格區(qū)間面議
組成要素半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,建材,電子
總覽

DG645 是一款多功能數(shù)字延遲/脈沖發(fā)生器,可提供精確定義的脈沖,重復(fù)頻率高達(dá) 10 MHz。與舊設(shè)計(jì)相比,該儀器提供了多項(xiàng)改進(jìn)——更低的抖動(dòng)、更高的精度、更快的觸發(fā)速率和更多的輸出。DG645 還具有以太網(wǎng)、GPIB 和RS-232接口,用于儀器的計(jì)算機(jī)或網(wǎng)絡(luò)控制。


DG645 低抖動(dòng)多功能數(shù)字延遲脈沖發(fā)生器,DG645 低抖動(dòng)多功能數(shù)字延遲脈沖發(fā)生器
通用參數(shù)

特點(diǎn)

·4脈沖,8延遲輸出(可選)

·<25 ps rms抖動(dòng)

·觸發(fā)頻率達(dá)10 MHz

·精密速率發(fā)生器

·輕松與同步

80 MHz鎖模激光器

·快速過渡時(shí)間

·卵形晶體或Rb時(shí)基(可選)

·以太網(wǎng)、GPIB和RS-232接口




延遲發(fā)生器定時(shí)

所有數(shù)字延遲發(fā)生器都通過計(jì)算快速時(shí)鐘(通常為100 MHz)的周期來測量時(shí)間間隔。大多數(shù)數(shù)字延遲發(fā)生器還具有較短的可編程模擬延遲,以實(shí)現(xiàn)比時(shí)鐘周期更精細(xì)的時(shí)間間隔。不幸的是,如果觸發(fā)與時(shí)鐘不同相,則可能會(huì)出現(xiàn)一個(gè)時(shí)序不確定性的時(shí)鐘周期(通常為10 ns)。

DG645 通過測量觸發(fā)相對于內(nèi)部時(shí)鐘的時(shí)序并補(bǔ)償模擬延遲來消除時(shí)序不確定性。這種方法可將抖動(dòng)降低約100×并允許內(nèi)部速率發(fā)生器以任何速率工作,而不僅僅是時(shí)鐘頻率的子倍數(shù)。


時(shí)序圖




觸發(fā)

DG645 具有多種觸發(fā)模式。周期抖動(dòng)小于 100 ps 的內(nèi)部速率發(fā)生器可在 100 μHz 至 10 MHz 范圍內(nèi)設(shè)置,分辨率為 1 μHz。具有可調(diào)閾值和斜率的外部觸發(fā)輸入可以觸發(fā)定時(shí)周期、突發(fā)周期或單次觸發(fā)。一鍵觸發(fā)單次射擊。線路觸發(fā)器與交流電源同步工作。后面板觸發(fā)抑制輸入可以在定時(shí)周期內(nèi)禁用觸發(fā)器或任何脈沖輸出。

DG645 通過觸發(fā)抑制和預(yù)縮放功能支持許多復(fù)雜的觸發(fā)要求。

觸發(fā)器延遲設(shè)置連續(xù)觸發(fā)之間的最短時(shí)間。如果應(yīng)用程序中的觸發(fā)事件產(chǎn)生顯著的噪聲瞬變,在生成下一個(gè)觸發(fā)器之前需要時(shí)間衰減,這將非常有用。觸發(fā)保持也可用于以輸入觸發(fā)速率的子倍數(shù)觸發(fā)DG645。

觸發(fā)預(yù)縮放使DG645能夠以更快的信號源同步觸發(fā),但觸發(fā)頻率是原始觸發(fā)頻率的子倍數(shù)。例如,DG645 可以以 1 kHz 的頻率觸發(fā),但可以通過將觸發(fā)輸入預(yù)縮放 80,000 來與以 80 MHz 運(yùn)行的鎖模激光器同步。此外,DG645還為每個(gè)前面板輸出包含一個(gè)單獨(dú)的預(yù)分頻器,使每個(gè)輸出能夠以觸發(fā)速率的子倍數(shù)運(yùn)行。


前面板輸出

有五個(gè)前面板輸出:T0、AB、CD、EF 和 GH。The T0輸出在定時(shí)周期內(nèi)置位。T的前緣0是零時(shí)間參考。編程延遲(A、B、C、D、E、F、G 和 H)設(shè)置為 0 s 至 2000 s,分辨率為 5 ps,以控制四個(gè)脈沖輸出的前沿和后沿的時(shí)序。

每個(gè)前面板輸出可以驅(qū)動(dòng) 50 Ω 負(fù)載,并具有 50 Ω源阻抗。輸出幅度可在 0.5 至 5.0 V 范圍內(nèi)設(shè)置,輸出失調(diào)范圍可超過 ±2 VDC,以提供幾乎任何邏輯電平(NIM、ECL、PECL、CMOS 等)。在任何輸出幅度下,輸出轉(zhuǎn)換時(shí)間均小于2 ns。



前面板輸出




后面板輸出

可選后面板輸出,支持各種應(yīng)用。選項(xiàng) 1 提供 T05 V邏輯電平的輸出和8個(gè)編程延遲(A、B、C、D、E、F、G和H),轉(zhuǎn)換時(shí)間小于1 ns。選項(xiàng)2提供相同的輸出,但為30 V、100 ns脈沖,轉(zhuǎn)換時(shí)間小于5 ns,適用于高噪聲環(huán)境中的定時(shí)分配。選項(xiàng) 3 提供 8 個(gè)組合輸出,可在 5 V 邏輯電平下提供 1 至 4 個(gè)脈沖,轉(zhuǎn)換時(shí)間小于 1 ns。每個(gè)輸出具有 50 Ω源阻抗。



組合輸出


時(shí)基

標(biāo)準(zhǔn)時(shí)基的精度為 5 ppm,抖動(dòng)10-8,適用于許多應(yīng)用??蛇x時(shí)基適用于需要更好速率和延遲精度或降低速率和延遲抖動(dòng)的用戶。

標(biāo)準(zhǔn)時(shí)基延遲1 s的時(shí)序誤差可高達(dá)5 μs,OCXO時(shí)基的時(shí)序誤差為200 ns,但銣時(shí)基的時(shí)序誤差僅為500 ps(校準(zhǔn)后一年)。


對于短延遲,抖動(dòng)通常為 20 ps。但是,對于 1 s 延遲,標(biāo)準(zhǔn)時(shí)基可以貢獻(xiàn)高達(dá) 10 ns 的額外抖動(dòng),而可選時(shí)基貢獻(xiàn)的額外抖動(dòng)不到 10 ps。




時(shí)序誤差與延遲




快速上升時(shí)間模塊

DG645 前面板輸出的轉(zhuǎn)換時(shí)間小于 2 ns。SRD1 是一個(gè)內(nèi)置于直插式 BNC 連接器中的附件,可將前面板輸出的上升時(shí)間縮短到 100 ps 以下。前面板最多可連接五個(gè) SRD1,以減少所有輸出的上升時(shí)間。



抖動(dòng)與延遲




規(guī)格:

DG645 規(guī)格

延遲
頻道4 個(gè)獨(dú)立脈沖控制位置和寬度。8 個(gè)延遲通道可供選擇。
(見下面的輸出選項(xiàng))
范圍0 到 2000 秒
分辨度5 皮秒
準(zhǔn)確性1 ns + (時(shí)基誤差 × 延遲)
抖動(dòng) (rms)

   分機(jī)。觸發(fā)。到任何輸出

( Ext. trig. to any output)

   T0到任何輸出

25 ps + (時(shí)基抖動(dòng) × 延遲)


15 ps + (時(shí)基抖動(dòng) × 延遲)
觸發(fā)延遲85 ns(外部觸發(fā)到 T 0輸出)

時(shí)基 (Timebases)

標(biāo)準(zhǔn)
   抖動(dòng) Jitter10 -8s/s
   穩(wěn)定性 Stability2 x 10 -6 (20 °C 至 30 °C)
   老化 Aging5 (ppm/yr)
Opt. 4 OCXO
   抖動(dòng)10 -11s/s
   穩(wěn)定2 x 10 -9 (20 °C 至 30 °C)
   老化0.2 ppm/年
Opt. 5 Rubidium(銣)
   抖動(dòng)10 -11s/s
   穩(wěn)定2 x 10 -10(20 °C 至 30 °C)
   老化0.0005 ppm/yr
外部輸入10 MHz ± 10 ppm,正弦 >0.5 Vpp,
1 kΩ 阻抗
輸出10 MHz,2 Vpp 輸入 50 Ω

外部觸發(fā)器

RateDC 至 1/(100 ns + 最長延遲)
最大10 MHz
臨界點(diǎn)±3.50 VDC
坡 Slope在上升沿或下降沿觸發(fā)
阻抗1 MΩ + 15 pF

內(nèi)部速率發(fā)生器(Internal Rate Generator)

觸發(fā)模式Continuous, line or single shot
速度100 uHz 至 10 MHz
解析度1 µHz
準(zhǔn)確性與時(shí)基相同
抖動(dòng) (rms 有效值)<25 ps(10 MHz/N 觸發(fā)率)
<100 ps(其他觸發(fā)率)

突發(fā)發(fā)生器

Trigger to first T0

   范圍(Range)

   分辨率

0 到 2000 秒
5 ps
脈沖之間的周期
   范圍
   分辨率

100 ns 至 42.9 s
10 ns
每個(gè)突發(fā)的延遲周期1 至 2 32 - 1

輸出(T 0、AB、CD、EF 和 GH)

源阻抗50Ω
過渡時(shí)間<2 納秒
過沖<100 mV + 10 % 的脈沖幅度
抵消±2V
振幅0.5 至 5.0 V(電平 + 偏移<6.0 V)
準(zhǔn)確性100 mV + 5 % 脈沖幅度




 

常規(guī)
計(jì)算機(jī)接口GPIB (IEEE-488.2)、RS-232 和以太網(wǎng)。所有儀器功能都可以通過接口進(jìn)行控制。
非易失性存儲器可以存儲和調(diào)用九組儀器配置。
Power<100 W,90 至 264 VAC,47 Hz 至 63 Hz
尺寸8.5" × 3.5" × 13" (WHL)
重量9 lbs.
保修一年零件和人工材料和工藝缺陷




輸出選項(xiàng)


選項(xiàng) 1(延遲輸出)

輸出數(shù)量8 個(gè)(后面板 BNC)
輸出0 , A, B, C, D, E, F, G 和 H
源阻抗50Ω
過渡時(shí)間<1 納秒
過沖<100 毫伏
等級+5 V CMOS 邏輯
脈沖特性
     上升沿
     下降沿

At programmed delay

25 ns after longest delay

選項(xiàng) 2(高壓輸出)

輸出數(shù)量8 個(gè)(后面板 BNC)
輸出T 0 , A, B, C, D, E, F, G 和 H
源阻抗50Ω
過渡時(shí)間<5 納秒
級別0 至 30 V 進(jìn)入高阻抗,0 至 15 V 進(jìn)入 50 Ω(幅度降低 1 %/kHz)
脈沖特性
     上升沿
     下降沿

At programmed delay

100 ns after the rising edge

選項(xiàng) 3(組合輸出)

輸出數(shù)量8 個(gè)(后面板 BNC)
輸出T 0 , AB, CD, EF, GH, (AB+CD), (EF+GH), (AB+CD+EF), (AB+CD+EF+GH)
源阻抗50Ω
過渡時(shí)間<1 納秒
過沖<100 mV + 10 % 的脈沖幅度
脈沖特性
   T 0 , AB, CD, EF, GH延遲之間的時(shí)間邏輯高(Logic high for time between delays)
   (AB+CD), (EF+GH)由給定通道的邏輯OR產(chǎn)生的兩個(gè)脈沖
   (AB+CD+EF)由給定通道的邏輯OR產(chǎn)生的三個(gè)脈沖
   (AB+CD+EF+GH)由給定通道的邏輯OR產(chǎn)生的四個(gè)脈沖

選項(xiàng) SRD1(快速上升時(shí)間模塊)

上升時(shí)間<100 皮秒
秋季時(shí)間<3 納秒
抵消-0.8 V 至 -1.1 V
振幅0.5V 至 5.0V
加載50Ω


 


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