產(chǎn)品分類

Product Category

光電探測器

單光子探測器/計數(shù)器光電倍增管其他光電探測器 Ge鍺光電探測器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測器 Si硅光電探測器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測器 MCT碲鎘汞探測器

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詳細介紹

品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材,電子

本系列其它產(chǎn)品型號共22條

名稱	型號	描述	參數(shù)
硅 Silicon ET-2060 - 硅光電探測器 >1.1 GHz 美國EOT	ET-2060 E80040616	材料：Silicon 上升／下降時間：＜３２０ｐｓ／＜３２０ｐｓ；響應(yīng)度：０．４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；帶寬：＞１．１ＧＨｚ；有效面積直徑：０．４ｍｍ；輸出連接：BNC；工作溫度：-20 - 50℃；	帶寬(Hz): >1.1 GHz
硅 Silicon ET-2040 硅光電探測器＞25MＨz 美國EOT	ET-2040 E80040617	材料：Silicon 上升／下降時間：＜３０nｓ／＜３０nｓ；響應(yīng)度：０.６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；帶寬：＞２５ＭＨｚ；有效面積直徑：４.５７ｍｍ；輸出連接：BNC	帶寬(Hz): >25 MHz
硅 Silicon ET-2030 高速硅光電探測器＞１.２ＧＨｚ美國EOT	ET-2030 E80040619	材料：Silicon 上升／下降時間：＜３００ｐｓ／＜３００ｐｓ；響應(yīng)度：０.４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；帶寬：＞１.２ＧＨｚ；有效面積直徑：０.４ｍｍ；輸出連接：BNC	帶寬(Hz): >1.2 GHz
硅 Silicon ET-2070 - 硅光電探測器 >118 MHz 美國EOT	ET-2070 E80040615	材料：Silicon；上升／下降時間：＜3ns／＜3ns；響應(yīng)度：0.56A／Ｗ＠830ｎｍ；帶寬：＞118MHz；有效面積直徑：2.55ｍｍ；輸出連接：BNC	帶寬(Hz): 118 MHz
銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3500, >15 GHz 美國EOT	ET-3500 E80040614	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ；響應(yīng)度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；帶寬：＞１５ＧＨｚ；有效面積直徑：３２ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ光纖連接不適用	帶寬(Hz): ＞15 GHz
硅 Silicon 帶放大高速光電探測器 ET-2030A 美國EOT	ET-2030A E80040618	材料：Silicon硅上升／下降時間：＜５００pｓ／＜５００ｐｓ；轉(zhuǎn)換增益：450 V/W ＠830 nm 帶寬：30 kHz to 1.2 GHz 有效面積直徑：４００ｕｍ；輸出連接：ＢＮＣ	帶寬(Hz): 30 kHz-１.2 GHz
銦鎵砷 InGaAs 帶放大光電探測器 ET-3500A 美國EOT(停產(chǎn))	ET-3500A E80040612	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜35ps／＜35ps；帶寬：20 kHz 至 10 GHz；有效面積直徑：３２ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ；停產(chǎn)	帶寬(Hz): ＞15 GHz
銦鎵砷 InGaAs 放大光電探測器 ET-3000A 美國EOT	ET-3000A E80040613	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜４００pｓ／＜４００ｐｓ；轉(zhuǎn)換增益：900 V/W ＠1300 nm 帶寬：30 kHz to １.５GHz 有效面積直徑：１００ｕｍ；輸出連接：ＢＮＣ	帶寬(Hz): 30 kHz-１.５GHz
銦鎵砷 InGaAs 帶放大光電探測器 ET-5000A 10 GHz 美國EOT（已經(jīng)停產(chǎn)）	ET-5000A E80040611	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；轉(zhuǎn)換增益：3250 V/W ＠2000 nm 帶寬：20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑：４０ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ	帶寬(Hz): 20 kHz-10 GHz
砷化鎵 GaAs 帶放大光電探測器 ET-4000A 美國EOT	ET-4000A E80040622	材料：GaAs ；上升／下降時間：＜35ps ／＜35ps ；轉(zhuǎn)換增益：1340 V/W ＠ 850 nm 帶寬：20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑：60um；輸出連接：SMA	帶寬(Hz): 20 kHz-10 GHz
銦鎵砷 InGaAs 帶放大光電探測器 ET-5000AF 砷化鎵 (已停產(chǎn)下架)	ET-5000AF E80040610	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；轉(zhuǎn)換增益：２３５０ V/W ＠2000 nm 帶寬：20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑：４０ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ	帶寬(Hz): 20 kHz-10 GHz
砷化鎵 GaAs 帶放大光電探測器 ET-4000AF美國EOT（已經(jīng)停產(chǎn)）	ET-4000AF E80040621	材料：GaAs 上升／下降時間：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；轉(zhuǎn)換增益：９７０V/W ＠ 850 nm 帶寬：20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑：６０ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ	帶寬(Hz): 20 kHz-10 GHz
銦鎵砷 InGaAs 帶放大光電探測器 ET-3500AF 美國EOT(已停產(chǎn)下架)	ET-3500AF E80040609	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；轉(zhuǎn)換增益：1620 V/W ＠1310 nm 帶寬：20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑：３２ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ	帶寬(Hz): 20 kHz-10 GHz
銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3500F, >15 GHz 美國EOT	ET-3500F E80040608	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ；響應(yīng)度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；帶寬：＞１５ＧＨｚ；有效面積直徑：３２ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ光纖連接 FC/UPC；SMF28e	帶寬(Hz): ＞15 GHz
銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3600, >22 GHz 美國EOT	ET-3600 E80040607	材料：InGaAs；上升／下降時間：＜16ps ／＜16ps；響應(yīng)度：0.7A／Ｗ＠1300ｎｍ；帶寬：＞22ＧＨｚ；有效面積直徑：20ｕｍ；輸出連接：SMA ；光纖連接不適用	帶寬(Hz): >22 GHz
銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3600F, >22 GHz 美國EOT	ET-3600F E80040606	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜16pｓ／＜16ｐｓ；響應(yīng)度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；帶寬：＞22ＧＨｚ；有效面積直徑：20ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ光纖連接 FC/UPC、SMF28e	帶寬(Hz): >22 GHz
砷化鎵 GaAs 高速光電探測器 ET-4000, >12.5 GHz 美國EOT	ET-4000 E80040620	材料：GaAs 上升／下降時間：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ；響應(yīng)度：０.５３Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；帶寬：＞１２．５ＧＨｚ；有效面積直徑：６０ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ光纖連接c 不適用	帶寬(Hz): ＞12.5 GHz
砷化鎵 GaAs 高速光電探測器 ET-4000F, >12.5 GHz 美國EOT	ET-4000F E80040605	材料：GaAs 上升／下降時間：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ；響應(yīng)度：０.３８Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；帶寬：＞１２．５ＧＨｚ；有效面積直徑：６０ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ光纖連接 FC/UPC、SMF28e	帶寬(Hz): ＞12.5 GHz
銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000, >10 GHz 美國EOT	ET-5000 E80040604	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ；響應(yīng)度：１．３Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ；帶寬：＞１０ＧＨｚ；有效面積直徑：４０ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ光纖連接；不適用	帶寬(Hz): ＞10 GHz
銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000F, >10 GHz 美國EOT	ET-5000F E80040603	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ；響應(yīng)度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ；帶寬：＞１０ＧＨｚ；有效面積直徑：４０ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ光纖連接；FC/UPC	帶寬(Hz): ＞10 GHz
銦鎵砷 InGaAs ET-3000 InGaAs 銦鎵砷光電探測器 >2 GHz 美國EOT	ET-3000 E80040602	材料：銦鎵砷上升／下降時間：＜175ps / ＜175ps；響應(yīng)度： 0.9A/ W@1300nm；帶寬：＞２ＧＨｚ；有效面積直徑：100um；輸出連接：BNC；	帶寬(Hz): >2 GHz
銦鎵砷 InGaAs ET-3010 光電探測器 >2 GHz 美國EOT	ET-3010 E80040601	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ；響應(yīng)度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；帶寬：＞２ＧＨｚ；有效面積直徑：１００ｕｍ；輸出連接：BNC	帶寬(Hz): >2 GHz

產(chǎn)品總覽

筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Technology)公司全線產(chǎn)品

EOT 的 >10 GHz 光電探測器包含 PIN 光電二極管，利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。當端接到示波器的 50 Ω 電阻時，可以測量激光的脈沖寬度。當端接到頻譜分析儀的 50 Ω 電阻時，可以測量激光器的頻率響應(yīng)。 EOT 的 >10 GHz 光電探測器自帶由長壽命鋰電池組成的內(nèi)部偏置電源。將同軸電纜插入光電檢測器的 SMA 輸出連接器并在示波器或頻譜分析儀上端接 50 Ω 即可運行。

銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000, >10 GHz 美國EOT ,銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000, >10 GHz 美國EOT

型號參數(shù)

特征

占地面積小

內(nèi)部電壓偏置

直流至 22 GHz

選項

可以訂購可選的壁掛式電源

提供光纖耦合或自由空間選項

探測器材質(zhì)

應(yīng)用

監(jiān)控調(diào)Q激光器的輸出

監(jiān)控鎖模激光器的輸出

監(jiān)測外部調(diào)制連續(xù)激光器的輸出

高頻、外差應(yīng)用

時域和頻率響應(yīng)測量

ET-5000 - >10 GHz 2 µm 擴展 InGaAs 光電探測器

零件號（型號）	120-10105-0001 (ET-5000)	120-10104-0001 (ET- 5000F )
探測器材質(zhì)	銦鎵砷	銦鎵砷
上升時間/下降時間	28 ps/28 ps	28 ps/28 ps
響應(yīng)度一	1.3 A/W在 2000 nm	0.95 A/W 在 2000 nm
電源	3伏	3伏
帶寬	>10 GHz	>10 GHz
有效面積直徑	40 微米	40 微米
暗電流	<1 µA	<1 µA
接受角（1/2角）	20 °	不適用
噪聲等效功率b	15 pW/ √Hz在 2000 nm	20 pW/ √Hz在 2000 nm
最大線性額定 CW	3毫安	3毫安
安裝（螺紋孔）	8-32 或 M4	8-32 或 M4
輸出連接器	SMA	SMA
光纖連接c	不適用	FC/UPC

產(chǎn)品規(guī)格可能會發(fā)生變化。所有產(chǎn)品均符合 RoHS 標準。
a光電探測器有一個內(nèi)部 50 Ω 終端。響應(yīng)數(shù)據(jù)僅適用于二極管。檢測器輸出應(yīng)根據(jù)圖表所示響應(yīng)度的 1/2 確定。
b 噪聲等效功率 (NEP) 由開路輸出確定。
c 多模光纖可用。可能會限制帶寬。
注意：除非另有說明，否則所有規(guī)格均適用于 50 Ω 端接。

SPECIFICATIONS
Part No. (Model)型號	120-10058-0001 (ET-3500)	120-10068-0001 (ET-3500F)	120-10071-0001 (ET-4000)	120-10081-0001 (ET-4000F)	120-10105-0001 (ET-5000)	120-10104-0001 (ET-5000F)	120-10140-0001 (ET-3600)	120-10142-0001 (ET-3600F)
Detector Material 材料	InGaAs	InGaAs	GaAs	GaAs	InGaAs	InGaAs	InGaAs	InGaAs
Rise Time/Fall Time	<25 ps/<25 ps	<25 ps/<25 ps	<30 ps/<30 ps	<30 ps/<30 ps	28 ps/28 ps	28 ps/28 ps	16 ps/16 ps	16 ps/16 ps
Responsivitya 響應(yīng)度	>0.90 A/W at 1300 nm	>0.65 A/W at 1300nm	0.53 A/W at 830 nm	0.38 A/W at 830 nm	1.3 A/W at 2000 nm	0.95 A/W at 2000 nm	>0.70 A/W at 1300 nm	>0.70 A/W at 1300 nm
Power Supply 電源	6 VDC	6 VDC	3 VDC	3 VDC	3 VDC	3 VDC	3 VDC	3 VDC
Bandwidth 波段	>15 GHz	>15 GHz	>12.5 GHz	>12.5 GHz	>10 GHz	>10 GHz	>22 GHz	>22 GHz
Active Area Diameter 有效面積直徑	32µm	32 µm	60 µm	60 µm	40 µm	40 µm	20 µm	20 µm
Dark Current 暗電流	<3 nA	<3 nA	<0.5 nA	<0.5 nA	<1 µA	<1 µA	<1 nA	<1 nA
Acceptance Angle (1/2 angle) 接受角	15?	N/A	15?	N/A	20?	N/A	15?	N/A
Noise Equivalent Powerb 噪聲等效功率	20 pW/√Hz at 1300 nm	28 pW/√Hz at 1300 nm	35 pW/√Hz at 830 nm	45 pW/√Hz at 830 nm	15 pW/√Hz at 2000 nm	20 pW/√Hz at 2000 nm	26 pW/√Hz at 1300 nm	26 pW/√Hz at 1300 nm
Maximum Linear Rating CW 最大線性額定值	10 mW	10 mW	10 mW	10 mW	3 mA	3 mA	10 mW	10 mW
Mounting (Tapped Holes) 安裝（螺紋孔）	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4
Output Connector 輸出連接器	SMA	SMA	SMA	SMA	SMA	SMA	SMA	SMA
Fiber Optic Connectionc 光纖連接	N/A	FC/UPC, SMF28e	N/A	FC/UPC, SMF28e	N/A	FC/UPC	N/A	FC/UPC, SMF28e

產(chǎn)品規(guī)格可能會更改。所有產(chǎn)品均符合RoHS標準。

光電探測器具有內(nèi)部50Ω終端。響應(yīng)度數(shù)據(jù)僅適用于二極管。探測器輸出應(yīng)根據(jù)圖中所示響應(yīng)度的1/2確定。

噪聲等效功率（NEP）通過開路輸出確定。

c多模光纖可用?？赡軙拗茙?。

注：除非另有說明，否則所有規(guī)范均適用于50Ω終端。

銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000, >10 GHz 美國EOT PD

公司簡介
筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司成立于2014年,是一家被上海市評為高新技術(shù)企業(yè)和擁有上海市專精特新企業(yè)稱號的專業(yè)光學服務(wù)公司，業(yè)務(wù)涵蓋設(shè)備代理以及項目合作研發(fā)，公司位于大虹橋商務(wù)板塊，擁有接近2000m2的辦公區(qū)域，建有500平先進的AOL(Advanced Optical Labs)光學實驗室，為國內(nèi)外客戶提供專業(yè)技術(shù)支持服務(wù)。公司主要經(jīng)營光學元件、激光光學測試設(shè)備、以及光學系統(tǒng)集成業(yè)務(wù)。十年來,依托專業(yè)、強大的技術(shù)支持，以及良好的商務(wù)支持團隊，筱曉的業(yè)務(wù)范圍正在逐年增長。目前業(yè)務(wù)覆蓋國內(nèi)外各著名高校、頂級科研機構(gòu)及相關(guān)領(lǐng)域等諸多企事業(yè)單位。筱曉擁有一支核心的管理團隊以及專業(yè)的研發(fā)實驗室，奠定了我們在設(shè)備的拓展應(yīng)用及自主研發(fā)領(lǐng)域堅實的基礎(chǔ)。
主要經(jīng)營
激光器/光源
半導體激光器（DFB激光器、SLD激光器、量子級聯(lián)激光器、FP激光器、VCSEL激光器）
氣體激光器（HENE激光器、氬離子激光器、氦鎘激光器）
光纖激光器（連續(xù)激光器、超短脈沖激光器）
光學元件
光纖光柵濾波器、光纖放大器、光學晶體、光纖隔離器/環(huán)形器、脈沖驅(qū)動板、光纖耦合器、氣體吸收池、光纖準直器、光接收組件、激光控制驅(qū)動器等各種無源器件
激光分析設(shè)備
高精度光譜分析儀、自相關(guān)儀、偏振分析儀，激光波長計、紅外相機、光束質(zhì)量分析儀、紅外觀察鏡等
光纖處理設(shè)備
光纖拉錐機、裸光纖研磨機。