GaSe（硒化鎵）晶體

簡要描述：太赫茲碲化鋅晶體 20x20x0.5mm
GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結構的62m空間點群，300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。

產品型號：THZ-GASE-10-10-1
廠商性質：經銷商
更新時間：2022-03-30
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太赫茲系統(tǒng)

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詳細介紹

品牌	其他品牌	產地類別	進口
應用領域	醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,化工,生物產業(yè),能源	晶體規(guī)格	10 x 10 x 1mm

太赫茲碲化鋅晶體 20x20x0.5mm

GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結構的62m空間點群，300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源，GaSe發(fā)射-探測系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取，我們可以實現對THz波的頻率可選擇性控制。

注：GaSe晶體的解理面為(001)，因此對該晶體使用的一個很大限制在于質軟，易碎。