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當(dāng)前位置：首頁  >  產(chǎn)品展示  >    >    >  BPD-Si-100M-BSi(硅)光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz

Si(硅)光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz

簡(jiǎn)要描述：Si(硅)光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz：工作波長(zhǎng)400~1100nm 帶寬100MHz 探測(cè)器型號(hào): si硅 探測(cè)器響應(yīng)度 0.55@850nm

  • 產(chǎn)品型號(hào)：BPD-Si-100M-B
  • 廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間：2022-08-08
  • 訪  問  量：1386

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產(chǎn)品型號(hào) BPD-Si-100M-B BPD-Si-200M-B BPD-Si-350M-B BPD-Si-500M-B BPD-Si-1G-B

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)

噪聲低

高增益

高帶寬

結(jié)構(gòu)緊湊

內(nèi)置低噪隔離電源


應(yīng)用領(lǐng)域

分布式光纖傳感

激光測(cè)風(fēng)雷達(dá)

光學(xué)相干層析

光譜測(cè)量

ns 級(jí)光脈沖探測(cè)


技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)

BPD-Si-100M-B

BPD-Si-200M-B

BPD-Si-350M-B

BPD-Si-500M-B

BPD-Si-1G-B

單位

探測(cè)器型號(hào)

Si

波長(zhǎng)

400~1100

400~1100

400~1100

400~1100

400~1100

nm

帶寬

100M

200M

350M

500M

1G

Hz

探測(cè)器響應(yīng)度

0.55@850nm

0.55@850nm

0.55@850nm

0.55@850nm

0.55@850nm

A/W

跨阻增益

30K

30K

30K

30K

30K

V/A

飽和輸入光功率

250

250

250

250

250

μW

NEP

12

12

12

13

13

pW/Sqrt(Hz)

共模抑制比

>25

>25

>25

>25

>25

dB

輸出阻抗

50

50

50

50

50

Ω

輸出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

AC

AC


供電電壓

5

5

5

12

12

V

供電電流

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

A

光學(xué)輸入

FC/APC（自由空間可選）

FC/APC（自由空間可選）

FC/APC（自由空間可選）

FC/APC（自由空間可選）

FC/APC（自由空間可選）


射頻輸出

SMA

SMA

SMA

SMA

SMA


外形尺寸

62*47*25

62*47*25

62*47*25

62*47*25

62*47*25

mm





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