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簡(jiǎn)要描述：894.6nm, VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器GaAs：以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結(jié)構(gòu)由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個(gè)發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。
產(chǎn)品型號(hào)：V00145廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時(shí)間：2022-08-08訪 問(wèn) 量：1363相關(guān)文章
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| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組成要素 | 半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,建材,電子 |
垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡(jiǎn)稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結(jié)構(gòu)由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個(gè)發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。有源區(qū)有量子肼組成，在P型DBR外表面制作金屬接觸層，形成歐姆接觸，并在P型DBR上制作一個(gè)圓形出口，輸出激光。
技術(shù)參數(shù)
應(yīng)用
原子鐘
磁力計(jì)
特點(diǎn):
包裝: 裸片
芯片工藝: GaAs 垂直腔面發(fā)射激光器
激光波長(zhǎng): 894.6 nm
輻射剖面: 單模
ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)
最大額定值
Ta = 80°C
參數(shù) | 符號(hào) | 值 | |
操作/焊接溫度 DC = 100% | TS | 最小值 最大值 | -20°C 110°C |
儲(chǔ)存溫度 | Tstg | 最小值 最大值 | -40°C 125°C |
正向電流（保持單模） 直流操作; DC = 100%; TS = 75°C | If | 最大值 | 1.5 mA |
正向電流 直流操作; DC = 100%; TS = 75°C | If | 最大值 | 3 mA |
反向電壓 | 不適合反向操作 | ||
ESD 耐電壓 acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A) | VESD | 最大值 | 250 V |
注意:超出絕對(duì)最大額定值范圍的應(yīng)力可能會(huì)對(duì)設(shè)備造成損壞。
特點(diǎn)
Ta = 80°C, IF = 1.4 mA; DC = 100% - Group 3
參數(shù) | 符號(hào) | 值 | |
正向電流 | VF | 典型值 | 1.78 V |
輸出功率 | Φ | 典型值 | 0.3 mW |
閾值電流 | Ith | 典型值 | 0.61 mA |
斜率效能 | SE | 典型值 | 0.37 W / A |
單模抑制比 | SMSR | 最小值 | 20 dB |
偏振消光比5) | PER | 最小值 | 15 dB |
峰值波長(zhǎng) | λpeak-v | 最小值 典型值 最大值 | 894.1 nm 894.6 nm 895.1 nm |
光譜線寬度 | Λlinewidth | 最大值 | 100 MHz |
調(diào)頻調(diào)制帶寬 | Fm | 最小值 | 4.6 GHz |
波長(zhǎng)溫度系數(shù) | TCλ | 典型值 | 0.06 nm / K |
半峰全寬處視場(chǎng)(50% of Φmax) | φx φY | 典型值 典型值 | 12° 12° |
1/e2處 視場(chǎng) | φx φY | 典型值 典型值 | 20° 20° |
注意:波長(zhǎng),輸出功率根據(jù)操作溫度和電壓的變化而變化。
相對(duì)光譜發(fā)射 1)
輻射特征 1)
正向電流 1) 2)
光輸出功率 1) 2)
尺寸圖 3)
垂直腔面發(fā)射激光器 (VCSEL)
型號(hào):
生產(chǎn)商: VIXAR INC
2355 POLARIS AVE N. SUITE 100
Plymouth, MN 55447USA
制造: Bare Die by VIXAR
Fabricated or packaged by:
Vixar, Inc.
2355 POLARIS AVE N. SUITE 100
Plymouth, MN 55447, USA
晶片 #:
Mft Lot #:
生產(chǎn)日期:
數(shù)量:
符合FDACDRH21CFR 1040.10標(biāo)準(zhǔn)，1040.11除外
器械與放射健康中心 登記號(hào):1210159-000
產(chǎn)品編號(hào):95R--DW
包裝
根據(jù)操作模式的不同，這些設(shè)備發(fā)射出高度集中的可見光和非可見光，這可能對(duì)人眼有害。包含這些設(shè)備的產(chǎn)品必須遵循IEC 60825-1中給出的安全預(yù)防措施。
除其他物質(zhì)外，該裝置的子組件還含有金屬填充材料，包括銀。金屬填充材料可能會(huì)受到含有侵略性
物質(zhì)的環(huán)境影響。因此，我們建議客戶在存儲(chǔ)、生產(chǎn)和使用過(guò)程中盡量減少設(shè)備接觸腐蝕性物質(zhì)。當(dāng)
使用上述試驗(yàn)進(jìn)行試驗(yàn)時(shí)，顯示出可見變色的裝置在規(guī)定的試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間內(nèi)未顯示出故障限值范圍內(nèi)
的性能偏差。
IEC60810中描述了相應(yīng)的故障限值。
1) 典型值：由于半導(dǎo)體器件制造工藝的特殊條件，技術(shù)參數(shù)的典型數(shù)據(jù)或計(jì)算關(guān)聯(lián)只能反映統(tǒng)計(jì)數(shù)字。這些不一定對(duì)應(yīng)于每個(gè)產(chǎn)品的實(shí)際參數(shù)，這些參數(shù)可能不同于典型值和計(jì)算相關(guān)或典型特征線。由于技術(shù)改進(jìn)，這些典型值數(shù)據(jù)將被更改，恕不另行通知。
2) 測(cè)試溫度: TA = 85°C ± 2°C
3) 尺寸公差:除非圖紙中另有說(shuō)明，公差以±0.1規(guī)定，尺寸以mm規(guī)定。
4) 波長(zhǎng):連續(xù)波長(zhǎng)測(cè)量，分辨率±0.1 nm。
5) 偏振: 在安裝或封裝引起的模具應(yīng)力條件下，偏振消光比會(huì)降低。
描述 | 工作模式 | 訂購(gòu)代碼 |
Group 1 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20 | Ta = 60±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm | V00140 Group: 1 |
Group 2 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20 | Ta = 70±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm | V00140 Group: 2 |
Group 3 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20 | Ta = 80±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm | V00140 Group: 3 |
Group 4 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20 | Ta = 90±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm | V00140 Group: 4 |
Group 5 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20 | Ta = 100±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm | V00140 Group: 5 |
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