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法蘭式SI光電探測(cè)器 光敏面積200um 應(yīng)用領(lǐng)域： 光纖通信、傳感、測(cè)距 可見(jiàn)光至近紅外領(lǐng)域的光探測(cè) 快速光脈沖檢測(cè) 各種工業(yè)控制系統(tǒng)。

SI光電探測(cè)器 光敏面積4mm（二極管） 應(yīng)用領(lǐng)域： 光纖通信、傳感、測(cè)距 可見(jiàn)光至近紅外領(lǐng)域的光探測(cè) 快速光脈沖檢測(cè) 各種工業(yè)控制系統(tǒng)。

6mm大光敏面硅（Si）光電探測(cè)器 產(chǎn)品總覽 器件為硅PIN 光電二極管，在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm。

8mm大光敏面（Si）硅光電探測(cè)器 應(yīng)用領(lǐng)域： 光纖通信、傳感、測(cè)距 可見(jiàn)光至近紅外領(lǐng)域的光探測(cè) 快速光脈沖檢測(cè) 各種工業(yè)控制系統(tǒng)。

銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測(cè)器 2.2um擴(kuò)展型 GPD GAP2000/2.2 2.2um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管響應(yīng)截止波長(zhǎng)達(dá)到2.2um,提供了出色的分流電阻，并在帶寬范圍內(nèi)具有出色的響應(yīng)度。

銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測(cè)器 2.2um擴(kuò)展型 GPD GAP3000/2.2 產(chǎn)品應(yīng)用： 氣體檢測(cè) 碳?xì)浠衔飩鞲? 紅外光譜 光譜學(xué) SWIR光電探測(cè)

InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型) InGaAs 雪崩光電二極管（APD）是短波近紅外單 光子檢測(cè)的專用器件，可滿足量子通信、弱光探測(cè)等領(lǐng) 域?qū)Ω咝实驮肼晢喂庾訖z測(cè)的技術(shù)需求，實(shí)現(xiàn)對(duì)0.9 ~ 1.7μm波長(zhǎng)的單光子探測(cè)。

銦鎵砷 InGaAs InGaAs PIN光電二極管 φ2mm InGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測(cè)，具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應(yīng)范圍（0.5 μm to 2.6 μm）等特點(diǎn)。