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  • InGaAs ET-3000  InGaAs 銦鎵砷光電探測(cè)器 >2 GHz 美國(guó)EOT
    InGaAs ET-3000 InGaAs 銦鎵砷光電探測(cè)器 >2 GHz 美國(guó)EOT

    InGaAs ET-3000 InGaAs 銦鎵砷光電探測(cè)器 2 GHz 美國(guó)EOT 筱曉光子公司代理美國(guó)的EOT(Electro-Optics Technology)公司全線產(chǎn)品 EOT 的<10 GHz 光電探測(cè)器包含 PIN 光電二極管,利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。

    更新時(shí)間:2022-09-19型號(hào):訪問(wèn)量:720
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  • 銦鎵砷 InGaAs  ET-3010  光電探測(cè)器 >2 GHz 美國(guó)EOT
    銦鎵砷 InGaAs ET-3010 光電探測(cè)器 >2 GHz 美國(guó)EOT

    銦鎵砷 InGaAs ET-3010 光電探測(cè)器 2 GHz 美國(guó)EOT 筱曉光子公司代理美國(guó)的EOT(Electro-Optics Technology)公司全線產(chǎn)品 EOT 的10 GHz 光電探測(cè)器包含 PIN 光電二極管,利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。

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  • UPD-35-UVIR-D超快光電探測(cè)器 Alphalas UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs
    UPD-35-UVIR-D超快光電探測(cè)器 Alphalas UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs

    超快光電探測(cè)器 Alphalas UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs系列自由空間入射超快光電探測(cè)器系列適合用于從直流到25GHz的空間光波形的測(cè)量??商峁z測(cè)最短為15ps上升時(shí)間的光脈沖信號(hào),覆蓋從170至2600nm的光譜范圍

    更新時(shí)間:2024-05-15型號(hào):UPD-35-UVIR-D訪問(wèn)量:762
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  • ALPHLAS UPD超快光電探測(cè)器 (感光材料 Si, 320-1100nm)
    ALPHLAS UPD超快光電探測(cè)器 (感光材料 Si, 320-1100nm)

    ALPHLAS UPD超快光電探測(cè)器 (感光材料 Si, 320-1100nm) ALPHLAS UPD系列自由空間入射超快光電探測(cè)器系列適合用于從直流到25GHz的空間光波形的測(cè)量??商峁z測(cè)最短為15ps上升時(shí)間的光脈沖信號(hào),覆蓋從170至2600nm的光譜范圍

    更新時(shí)間:2022-09-19型號(hào):訪問(wèn)量:610
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  • Alphalas UPD超快光電探測(cè)器(320-1100nm <300ps上升沿時(shí)間 Si >
    Alphalas UPD超快光電探測(cè)器(320-1100nm <300ps上升沿時(shí)間 Si >

    Alphalas UPD超快光電探測(cè)器(320-1100nm <300ps上升沿時(shí)間 Si 1GHz 拋光玻璃) 產(chǎn)品總覽 Alphalas UPD系列自由空間入射超快光電探測(cè)器系列適合用于從直流到25GHz的空間光波形的測(cè)量。

    更新時(shí)間:2024-09-27型號(hào):訪問(wèn)量:749
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  • 帶 USB 的數(shù)字集成光電二極管 1 kHz , WL-IPD4A
    帶 USB 的數(shù)字集成光電二極管 1 kHz , WL-IPD4A

    數(shù)字集成光電二極管1 kHz , WL-IPD4B通用串行總線接口為虛擬串行端口(VCP),以便直接輕松地集成到實(shí)驗(yàn)室控制軟件(如LabView)中。通信使用基于文本的協(xié)議。

    更新時(shí)間:2022-09-19型號(hào):訪問(wèn)量:711
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  • Ge 鍺 大光敏PIN光電二極管(800-1800nm 直徑 5mm)
    Ge 鍺 大光敏PIN光電二極管(800-1800nm 直徑 5mm)

    Ge 鍺 大光敏PIN光電二極管(800-1800nm 直徑 5mm) 筱曉光子庫(kù)存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。我們有高速硅光電二極管。

    更新時(shí)間:2022-09-19型號(hào):訪問(wèn)量:1036
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  • 850nm單模光纖耦合VCSEL激光二極管(不帶TEC)
    850nm單模光纖耦合VCSEL激光二極管(不帶TEC)

    850nm單模光纖耦合VCSEL激光二極管(不帶TEC) 筱曉光子庫(kù)存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。我們有高速硅光電二極管

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